以下文章來源于顯示之窗,作者李松舉
然而由于PECVD形成的薄膜存在一定密度的缺陷,而且一旦有異物存在時(shí),PECVD薄膜很容易就會(huì)失效,因此考慮在兩層無機(jī)層中增加一層由噴墨印刷(IJP)制作的緩沖層,這一緩沖層一方面可以有效覆蓋異物,使得其上的PECVD層能在一個(gè)較平坦的表面沉積;另一方面,有機(jī)材料組成的緩沖層具有更小的楊氏模量,有更強(qiáng)的柔韌性和應(yīng)力緩沖能力。有利于提高顯示屏幕的彎折和可靠性能。
隨著顯示屏幕形態(tài)的不斷發(fā)展,進(jìn)一步降低彎折半徑的需求越來越高,這就對(duì)薄膜封裝的厚度提出了更高的要求,當(dāng)前PECVD制備的無機(jī)阻隔層至少都要在500nm以上才能保證OLED的長期使用。而有機(jī)緩沖層一般也需要達(dá)到8~14um才能有效覆蓋制程中的缺陷。
薄膜封裝的薄膜幾乎覆蓋整個(gè)顯示屏,其厚度是影響整個(gè)屏幕在彎折時(shí)應(yīng)力強(qiáng)度的一個(gè)重要考慮點(diǎn),對(duì)應(yīng)可柔性,厚度往往越小越好。然而當(dāng)前PECVD制備的無機(jī)阻隔層已無法繼續(xù)降低,在膜厚減薄的情況下仍能保證水氧阻隔性能的封裝技術(shù)是薄膜封裝的重要研發(fā)方向之一。
原子層沉積(ALD)技術(shù)可以在低溫下制備具有較高體密度、低缺陷低針孔密度的致密薄膜,因此膜厚為幾十納米薄膜的阻隔性即可媲美PECVD制作薄膜的幾百納米薄膜,也因此,ALD也成為替代PECVD的候選技術(shù)之一。
實(shí)際上,原子層沉積在半導(dǎo)體高端芯片和光伏領(lǐng)域已被導(dǎo)入量產(chǎn)線,在顯示領(lǐng)域,隨著其薄膜封裝性能的研發(fā)從高校實(shí)驗(yàn)室到領(lǐng)域內(nèi)研究機(jī)構(gòu)的推進(jìn),結(jié)合噴墨印刷等有機(jī)緩沖層一同形成可靠的薄膜封裝結(jié)構(gòu),其實(shí)際應(yīng)用也逐漸嶄露頭角:
原子層沉積的直接替代化學(xué)氣相沉積
在OLED封裝結(jié)構(gòu)上,仍采用量產(chǎn)常用的無機(jī)-有機(jī)-無機(jī)3疊層結(jié)構(gòu)。通過在較大的玻璃基板(100x100mm)上制備OLED顯示器和IGZO-AMOLED柔性顯示器進(jìn)行了封裝相關(guān)性能驗(yàn)證后的結(jié)果顯示:一是噴墨打印可以在原子層沉積薄膜上有效成膜,不僅鋪展良好,接觸角低至11.1°,而且邊緣直線性良好。二是OLED顯示屏性能良好,在常規(guī)環(huán)境放置363天后未失效,在60℃/85%RH狀態(tài)下,T95為300小時(shí),三是OLED顯示屏在彎折后仍能有效顯示[1]。
韓國電子與電信研究所(ETRI)的Byoung-Hwa Kwon團(tuán)隊(duì)研究了使用該技術(shù)用于OLED新型薄膜封裝(TFE),無機(jī)層為使用PEALD制備的AlOx薄膜,TMA和O2等離子體作為主要反應(yīng)源,沉積溫度為95℃。有機(jī)緩沖層使用了三星SDI的亞克力型封裝墨水,通過噴墨印刷技術(shù)制得。(參考圖1)

圖1 本文封裝結(jié)構(gòu)及流程示意圖
封裝驗(yàn)證用的器件方面,在較大的玻璃基板(100x100mm)上制備了OLED顯示器和IGZO-AMOLED柔性顯示器。
為了評(píng)估IJP能否在ALD薄膜上有效成膜,在AlOx-ALD薄膜上進(jìn)行了噴墨點(diǎn)陣印刷以評(píng)估鋪展性,結(jié)果顯示鋪展良好。(參考圖2)

圖2 在ALD上TFE-Ink的(c)接觸角,(d)滴墨及鋪展性,(e)邊緣直線性
接著測試了AlOx的密度(3.09g/cm3)、AlOx/IJP/AlOx疊層的透過率(95% @380~780nm)、WVTR(<5x10-5 g/m2/day)、彎折表現(xiàn)和表面粗糙度(0.99nm)。(參考圖3)

圖3 (a) ALD-AlOx和TFE-IJP薄膜的折射率與波長關(guān)系曲線(b)測試AlOx密度的XRR曲線 (c) AlOx/IIJP/AlOx、AlOx/IJP和單層AlOx三組薄膜的透過率曲線,其中插圖是100x100mm的3疊層薄膜透過率表現(xiàn)(d) AlOx/IIJP/AlOx 疊層的WVTR測試曲線(e)3疊層與單層AlOx在R3.2彎折10次后的WVTR測試對(duì)比,在測試前兩者WVTR均小于10E-5 (f)AFM測試的疊層表面形貌圖
薄膜的測試還只是開始,能否應(yīng)用至OLED顯示屏中才是關(guān)鍵。其中使用AlOx/IJP/AlOx疊層封裝的45x90mm OLED顯示屏性能明顯比單層AlOx封裝要好。(參考圖4)

圖4 (a)簡單線段控制的OLED顯示屏layout,(b)OLED在常規(guī)環(huán)境下放置0、112、363天后的點(diǎn)亮情況。(c) 25℃/50%RH狀態(tài)下的壽命測試對(duì)比,(d) 60℃/85RH狀態(tài)下的壽命測試對(duì)比
此外,在IGZO-AMOLED顯示屏上也進(jìn)行了點(diǎn)亮和彎折性能評(píng)估。結(jié)果顯示AlOx/IJP/AlOx疊層封裝后的顯示屏在彎折后仍能有效顯示,而單層AlOx封裝的顯示屏在彎折后嚴(yán)重失效。如圖5所示。

圖5 (a) 疊層封裝的20x20mm柔性純OLED器件的點(diǎn)亮與彎折示意圖,(b)單層無機(jī)層封裝的40x40mm柔性AMOLED器件點(diǎn)亮與彎折示意圖(上) 、疊層無機(jī)層封裝的40x40mm柔性AMOLED器件點(diǎn)亮與彎折示意圖(下)
等離子體處理工藝可進(jìn)一步提高阻隔與機(jī)械性能
可實(shí)現(xiàn)柔性顯示是薄膜封裝的優(yōu)勢之一,因此,如何使封裝適應(yīng)更加“柔”的顯示器是薄膜封裝開發(fā)的永恒主題。結(jié)合ALD與IJP時(shí),引入等離子體處理工藝,在有效提高了疊層的水氧阻隔性的同時(shí),WVTR從2.5x10-2提升至6x10-3 g/m2/day,也增加了疊層的機(jī)械強(qiáng)度,使TFE封裝層無需考慮與中性層的距離也能保證較高的可彎折性[2]。
福州大學(xué)物理和信息學(xué)院的Guixiong Chen團(tuán)隊(duì)使用TMA和H2O在熱原子層沉積設(shè)備中制備了AlOx薄膜,接著亞克力系的UV固化型墨水被噴墨印刷至AlOx薄膜上。
固化后,樣品被送至反應(yīng)離子蝕刻(RIE)設(shè)備中并進(jìn)行了SF6的等離子體處理。反復(fù)執(zhí)行以上步驟直至形成3組無機(jī)-有機(jī)疊層,完成封裝。(參考圖6)

圖6 試驗(yàn)流程示意圖
Chen等對(duì)該薄膜封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行了全面的表征。其中,經(jīng)過SF6等離子體處理后的有機(jī)薄膜,從平坦的表面變成了粗糙度非常大的具有凹凸結(jié)構(gòu)的表面結(jié)構(gòu)。如下圖7所示:

圖7 經(jīng)過SF6處理后有機(jī)層的高清SEM圖
從XPS和EDS分析結(jié)果判斷,有機(jī)層表面被氟化并形成了氟碳化合物,這些氟碳化合物使得有機(jī)層表面極性增強(qiáng),從而可有效減少水汽分子的滲透,有利于WVTR的降低。進(jìn)一步對(duì)比處理后有機(jī)膜與ALD-AlOx形成的疊層的水氧阻隔性,發(fā)現(xiàn)經(jīng)過處理后的疊層比未處理疊層的WVTR更低。
機(jī)械性能方面,將樣品彎折至半徑3mm,未處理的疊層出現(xiàn)了大量的裂紋,而有機(jī)層經(jīng)過SF6處理的樣品裂紋非常少。如下圖8所示:

圖8 處理/未處理TFE結(jié)構(gòu)的彎折后裂紋對(duì)比圖
經(jīng)分析推測,經(jīng)處理的TFE結(jié)構(gòu)能具有更好的機(jī)械性能的原因是:一方面,凹凸不平結(jié)構(gòu)能有效降低AlOx薄膜在彎折時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力,而且這樣的非連續(xù)凸起結(jié)構(gòu)使得裂紋不容易擴(kuò)散。另一方面,有機(jī)層表面被氟化之后,其楊氏模量變得更大,從而降低了在90℃的AlOx沉積過程中AlOx與有機(jī)膜之間的熱應(yīng)力,進(jìn)而減少由界面應(yīng)力帶來AlOx膜的應(yīng)變,提高整體TFE的機(jī)械強(qiáng)度。
結(jié) 語 隨著顯示技術(shù)的持續(xù)發(fā)展,適應(yīng)更高端產(chǎn)品的新型薄膜封裝技術(shù)也陸續(xù)被開發(fā),不僅僅是ALD和IJP,還有很多其他新型制程和設(shè)備,相信這些新技術(shù)不僅能給我們帶來更佳的視覺體驗(yàn),更能使產(chǎn)品的性價(jià)比更高,產(chǎn)品更快普及。 參考文獻(xiàn) [1] B,H Kwon et al., ACS Appl. Mater. Interfaces 2021, 13, 55391?55402. DOI: 10.1021/acsami.1c12253 [2] G Chen et al., Organic Electronics 97 (2021) 106263. DOI:10.1016/j.orgel.2021.106263